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SI2302CDS-T1-GE3

發布企業:鑫銳電子(香港)有限公司日期:2019/12/5 9:39:36
摘要:SI2302CDS-T1-GE3

關鍵詞:SI2302CDS-T1-GE3

SI2302CDS-T1-GE3產品詳細規格

規格書 SI2302CDS-T1-GE3

Rohs Lead free / RoHS Compliant

標準包裝 3,000

FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特點 Logic Level Gate

漏極至源極電壓(VDSS) 20V

電流-連續漏極(編號)@ 25°C 2.6A

Rds(最大)@ ID,VGS 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V

VGS(TH)(最大)@ Id 850mV @ 250μA

柵極電荷(Qg)@ VGS 5.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)@ Vds的 -

功率 - 最大 710mW

安裝類型 Surface Mount

包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商器件封裝 SOT-23-3 (TO-236)

包裝材料 Tape & Reel (TR)

包裝 3SOT-23

通道模式 Enhancement

最大漏源電壓 20 V

最大連續漏極電流 2.6 A

RDS -于 57@4.5V mOhm

最大門源電壓 ±8 V

典型導通延遲時間 8 ns

典型上升時間 7 ns

典型關閉延遲時間 30 ns

工作溫度 -55 to 150 °C

安裝 Surface Mount

標準包裝 Tape & Reel

產品種類 MOSFET

RoHS RoHS Compliant

晶體管極性 N-Channel

漏源擊穿電壓 20 V

源極擊穿電壓 +/- 8 V

連續漏極電流 2.6 A

抗漏源極RDS ( ON) 0.057 Ohms

配置 Single

最高工作溫度 + 150 C

安裝風格 SMD/SMT

封裝/外殼 SOT-23-3

封裝 Reel

下降時間 7 ns

最低工作溫度 - 55 C

功率耗散 710 mW

上升時間 7 ns

工廠包裝數量 3000

零件號別名 SI2302CDS-GE3

最大門源電壓 ±8

包裝寬度 1.4(Max)

PCB 3

最大功率耗散 710

最大漏源電壓 20

歐盟RoHS指令 Compliant

最大漏源電阻 57@4.5V

每個芯片的元件數 1

最低工作溫度 -55

供應商封裝形式 SOT-23

標準包裝名稱 SOT-23

最高工作溫度 150

渠道類型 N

包裝長度 3.04(Max)

引腳數 3

包裝高度 1.02(Max)

最大連續漏極電流 2.6

鉛形狀 Gull-wing

P( TOT ) 0.71W

匹配代碼 SI2302CDS

單位包 3000

標準的提前期 15 weeks

最小起訂量 3000

極化 N-CHANNEL

無鉛Defin RoHS-conform

我(D ) 2.6A

V( DS ) 20V

R( DS上) 0.075Ohm

FET特點 Logic Level Gate

安裝類型 Surface Mount

電流 - 連續漏極(Id ) @ 25 °C 2.6A (Ta)

的Vgs(th ) (最大)@ Id 850mV @ 250μA

供應商設備封裝 SOT-23-3 (TO-236)

開態Rds(最大)@ Id ,V GS 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 710mW

漏極至源極電壓(Vdss) 20V

閘電荷(Qg ) @ VGS 5.5nC @ 4.5V

封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名稱 SI2302CDS-T1-GE3CT

類別 Power MOSFET

外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.02mm

身高 1.02mm

長度 3.04mm

最大漏源電阻 0.057 Ω

最大功率耗散 0.71 W

包裝類型 SOT-23

典型柵極電荷@ VGS 3.5 nC V @ 4.5

寬度 1.4mm

RDS(ON) 57 mOhms

漏極電流(最大值) 2.6 A

頻率(最大) Not Required MHz

柵源電壓(最大值) ?8 V

輸出功率(最大) Not Required W

噪聲系數 Not Required dB

漏源導通電阻 0.057 ohm

工作溫度范圍 -55C to 150C

極性 N

類型 Power MOSFET

元件數 1

工作溫度分類 Military

漏極效率 Not Required %_ 漏源導通電壓 20 V

功率增益 Not Required dB

弧度硬化 No

Continuous Drain Current Id :2.9A

Drain Source Voltage Vds :20V

On Resistance Rds(on) :57mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :8V

Threshold Voltage Vgs :850mV

功耗 :710mW

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :SOT-23

No. of Pins :3

MSL :-

Current Id Max :2.9A

Junction Temperature Tj Max :150°C

工作溫度范圍 :-55°C to +150°C

端接類型 :SMD

Voltage Vds Typ :20V

Voltage Vgs Max :850mV

Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V

Voltage Vgs th Max :0.85V

Voltage Vgs th Min :0.4V

Weight (kg) 0.000008

Tariff No. 85412900

associated SI2302CDS-T1-GE3

EYGA091203SM

據科技新報報道,日本觸控面板廠 Nissha 于2 日宣布,將解除和中國玻璃加工廠藍思科技(Lens Technology)的合資契約,并決定將從事觸控面板生產、銷售業務的中國合資公司股權全數出售給藍思,預估損失將達15 億日元。

2017 年 3 月,Nissha和藍思及其子公司藍思國際(香港)有限公司在中國合資成立了從事觸控面板生產、銷售業務的日寫藍思科技(長沙)有限公司。三家公司的出資比重分別為 Nissha 20%、藍思 70%、藍思國際(香港)10%。

Nissha 表示,日寫藍思科技(長沙)成立以來,因受智能手機需求低迷影響,工廠無法正式進行全面運作,因此決議將所持有的 20%_股權全數出售給藍思國際(香港)。

同時,Nissha 指出,因截至目前,已發生的工廠啟用費用部分由 Nissha 負擔,因此解除合資契約后,預估將在今年度(2019 年 1~12 月)提列約 15 億日元特別損失。而之前公布的今年度財測預估尚未反映該筆損失,目前正就解除合資契約將造成的影響進行清查,一旦確定將立即對外公布。

香港鑫銳電子有限公司,18年元器件專業分銷商 (授權與非授權品牌) ,一站式終端廠家配套:(質量保證 誠信經營)是公司的承諾,為客戶提供品牌原裝半導體,電子元器件終端配套市場,專注ESD/TVS靜電保護二極管、LDO低功耗穩壓管、MOS管、電池充電和管理電源、LED、光電耦合器、電阻電容、PCB解決方案領域(無線藍牙解決方案、藍牙運動版解決方案一站式、音箱、無線移動電源)。

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