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三星投資天價擴大存儲芯片及感光元件生產規模

日期:2020/6/3 9:25:18
摘要:三星作為全球閃存芯片的龍頭企業,近日宣布計劃擴大其 NAND 閃存芯片的生產。三星計劃投資韓國平澤市工業園區的2號生產線以擴大產能,應對因新冠疫情而擴大的生產電腦與服務器對芯片的需求。

據 SamMobile 消息,新工廠在前月已開始動工,三星表示閃存芯片的需求量會因5G、人工智能以及萬物互聯的發展而迅速增長,而新工廠 V-NAND 芯片的量產將會在 2021 年下半年開始。分析師表示,三星會為新工廠投資 7-8 萬億韓元(約合人民幣 407-465 億),建成后,這條生產線會滿足 NAND 閃存芯片的中期和長期需求。三星的平澤工業園區,已經是世界其中兩條最龐大的閃存及內存芯片生產線所在地。不過,隨著需求量的不斷擴大,三星仍然會對其進一步投資。

在過去18年,三星一直是存儲芯片領域的領導者,他們最近還官宣了最新的存儲芯片技術——業內首次多達160層的 V-NAND 閃存設計。它在擁有更高存儲容量的同時,芯片密度更高。

三星電子存儲全球營銷副總裁 Cheol Choi 表示:“這次投資,再次證明了我們在存儲技術領域所擁有的無可爭辯的領導地位。即使在不確定的時刻,我們依然會繼續為市場提供最佳的內存及閃存解決方案,同時為整個 IT 行業和經濟增長做出貢獻。”

至于后者,三星計劃將其位于韓國京畿道華城的 DRAM 生產線的其中一條轉產至生產感光元件,由于 DRAM 生產線與感光元件的生產流程有 80%_左右接近,因此用于生產 DRAM 的材料以及相關設備均可用于生產感光元件。

本次轉產在新設備安裝測試后,最快將在今年開始量產,而三星需要為轉產花費 1 萬億韓元(約合人民幣 58 億)的成本。

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